RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
44
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3370
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link