RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
44
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2726
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link