RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
49
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3606
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link