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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3035
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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