RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3534
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link