RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3115
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link