RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3414
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link