RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
49
Autour de -123% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3139
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link