RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2760
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link