RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
49
Autour de -123% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3038
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link