RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
49
Autour de -145% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3234
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link