RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3091
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link