RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2324
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link