RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2792
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link