RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
49
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3128
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link