RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2726
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link