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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2182
2696
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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