RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2041
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link