RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
47
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3356
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link