RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2897
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link