RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
69
Autour de 32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
69
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
1576
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.M16FJD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link