RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
47
Autour de -161% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
18
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3778
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG9N-CG 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link