RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3885
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link