RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
47
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3162
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link