RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
47
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
38
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3005
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link