RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
47
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2776
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link