RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3890
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link