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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
83
Autour de 43% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
83
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
1774
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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