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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
47
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3029
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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