RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
33
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
21
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2930
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link