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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3367
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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