RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2969
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link