RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2051
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link