RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2490
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link