RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
94
Autour de 65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
94
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
1390
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link