RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
62
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2086
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link