RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3352
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link