RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3482
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link