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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3741
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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