RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3697
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link