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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3361
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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