RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2359
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-PB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link