RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2892
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link