RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3466
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link