RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
54
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
39
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3046
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link