RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
54
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1254
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link