RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2485
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link