RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
54
Autour de -200% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
18
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3402
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link