RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3509
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link