RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2968
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link